摘要:目的探讨新型的自由基清除剂依达拉奉（EDA）能否保护H9c2心肌细胞对抗化学性低氧引起的损伤。 方法应用化学性低氧模拟剂氯化钴（CoCl2）处理H9c2心肌细胞以建立化学性低氧损伤模型。应用CCK-8比色法检测细胞存活率；Hoechst 33258核染色法检测凋亡细胞的形态学及数量变化；双氯荧光素（DCFH-DA）染色荧光显微镜照像测定细胞内活性氧（ROS）水平；JC-1染色荧光显微镜照像检测线粒体膜电位（MMP）。结果应用100～1000 μmol/L CoCl2处理H9c2心肌细胞24 h，呈浓度依赖性地降低细胞存活率；在12～36 h范围内，800 μmol/L CoCl2呈时间依赖性地抑制细胞存活率；10～40 μmol/L EDA或500～2000 μmol/L N-乙酰半胱氨酸（NAC，为ROS的清除剂）预处理H9c2心肌细胞1 h呈浓度依赖性地对抗CoCl2对细胞存活率的抑制作用；在800 μmol/L CoCl2处理H9c2心肌细胞前1 h，应用40 μmol/L EDA预处理细胞不仅可明显的抑制CoCl2诱导的细胞内ROS生成增多，还能抑制CoCl2的致细胞凋亡作用及MMP的损伤作用。 结论EDA能保护心肌细胞对抗CoCl2诱导的损伤作用，此心肌细胞保护作用可能与其抗氧化作用及保护MMP有关。

摘要:目的探讨活性氧清除剂N-乙酰半胱氨酸能否保护H9c2心肌细胞对抗化学性低氧引起的内质网应激。方法应用化学性低氧模拟物氯化钴处理H9c2心肌细胞,建立化学性低氧损伤心肌细胞的实验模型。在氯化钴处理H9c2心肌细胞前60 min把N-乙酰半胱氨酸加入培养基中,作为预处理。应用CCK-8比色法检测细胞存活率;Hoechst33258染色荧光显微镜照相术检测凋亡心肌细胞的形态学改变;双氯荧光素染色荧光显微镜照相检测细胞内活性氧水平;免疫印迹法检测内质网应激蛋白葡萄糖调节蛋白78的表达。结果在100～2 000μmol/L浓度范围内,氯化钴处理H9c2心肌细胞24 h,呈剂量依赖性地抑制细胞存活率。在12～48 h时间范围内,800μmol/L氯化钴处理H9c2心肌细胞呈时间依赖性地抑制细胞存活率。在氯化钴处理H9c2心肌细胞前60 min,应用2 000μmol/L的N-乙酰半胱氨酸不仅能抑制氯化钴对活性氧生成的促进作用,也能明显的抑制氯化钴诱导的细胞凋亡。不同浓度的氯化钴处理H9c2心肌细胞24 h,可使葡萄糖调节蛋白78表达增多,其中800μmol/L的氯化钴处理H9c2心肌细胞24 h时,葡萄糖调节蛋白78表达最多,800μmol/L的氯化钴处理H9c2心肌细胞不同时间,9 h时葡萄糖调节蛋白78表达最多。在氯化钴处理H9c2心肌细胞前60 min,应用2 000μmol/L的N-乙酰半胱氨酸能明显的抑制氯化钴诱导的葡萄糖调节蛋白78的表达。结论N-乙酰半胱氨酸能显著地对抗化学性低氧诱导的心肌细胞损伤,此心肌细胞保护作用可能与其对抗化学性低氧引起的内质网应激有关。